Токи в биполярном транзисторе связаны выражением

Режимы работы биполярного транзистора

Биполярным транзистором называется электропреобразовательный полупроводниковый прибор, имеющий в своей структуре два взаимодействующих p-n-перехода и три внешних вывода, и предназначенный, в частности, для усиления электрических сигналов. В дальнейшем для краткости будем его называть просто - транзистором. Структура транзистора, изготовленного по диффузионной технологии, приведена на рис. Как видно из рисунка, транзистор имеет три области полупроводника, называемые его электродами, причем две крайние области имеют одинаковый тип проводимости, а средняя область - противоположный.

Биполярные транзисторы

Оценочные материалы фонд оценочных средств для проведения диагностической работы в рамках аккредитационных. Какая схема включения биполярного транзистора одновременно дает усиление по току и по напряжению. Какая схема включения биполярного транзистора имеет наибольшее входное сопротивление при наименьшем выходном сопротивлении.

Вы точно человек?
Управление MOSFET и IGBT транзисторами. Схемотехнические решения. Расчет
Общая теория связи. Контрольная работа, Вариант №13

Управление током и усиление сигналов в схемах полупроводниковой электроники осуществляют с помощью транзисторов. Схемные обозначения транзисторов: а — p-n-p-тип; б — n-p-n-тип Рис. Распределение токов а и потенциалов б в транзисторе p-n-p типа Биполярный транзистор представляет собой кристалл полупроводника, состоящий из трех слоев с чередующейся проводимостью и снабженный тремя выводами электродами для подключения к внешней цепи.

Вы точно человек?
Биполярные транзисторы - Параметры транзистора как четырехполюсника. h-параметры
Биполярные транзисторы - Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером
Общая теория связи. Контрольная работа, Вариант №13 (Работа Контрольная) | lemma

Характеристики транзистора в этом режиме будут отличаться от характеристик в режиме с общей базой. В транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, имеет место усиление не только по напряжению, но и по току. Входными параметрами для схемы с общим эмиттером будут ток базы I б , и напряжение на коллекторе U к , а выходными характеристиками будут ток коллектора I к и напряжение на эмиттере U э. Ранее при анализе биполярного транзистора в схеме с общей базой была получена связь между током коллектора и током эмиттера в следующем виде:. В схеме с общим эмиттером в соответствии с первым законом Кирхгофа. Он называется коэффициентом усиления по току биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

Похожие статьи